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Toshiba Semiconductor and Storage TPN14006NH,L1Q

Numero parte MFG
TPN14006NH,L1Q
quantità disponibile
13400 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.2576
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fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
U-MOSVIII-H MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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TPN14006NH,L1Q specificazioni

codice articolo del costruttore TPN14006NH,L1Q
Numero di parte futuro FT-TPN14006NH,L1Q
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie U-MOSVIII-H
TPN14006NH,L1Q Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta), 30W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPN14006NH,L1Q Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TPN14006NH,L1Q-FT

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