casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TPN6R003NL,LQ
codice articolo del costruttore | TPN6R003NL,LQ |
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Numero di parte futuro | FT-TPN6R003NL,LQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVIII-H |
TPN6R003NL,LQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 27A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 13.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 200µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta), 32W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPN6R003NL,LQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPN6R003NL,LQ-FT |
TK12A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK13A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK13A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK13A50DA(STA4,Q,M
Toshiba Semiconductor and Storage
TK13A55DA(STA4,QM)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK13A65U(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK14A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK14A45DA(STA4,QM)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK14A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK15A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
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LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel