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Taiwan Semiconductor Corporation TSM6N60CH C5G

Numero parte MFG
TSM6N60CH C5G
quantità disponibile
64630 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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fabbricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descrizione
- MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-TSM6N60CH C5G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
TSM6N60CH C5G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.7nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1248pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 89W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-251 (IPAK)
Pacchetto / caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM6N60CH C5G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TSM6N60CH C5G-FT

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