casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TSM6N60CH C5G
codice articolo del costruttore | TSM6N60CH C5G |
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Numero di parte futuro | FT-TSM6N60CH C5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM6N60CH C5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25 Ohm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1248pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 89W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-251 (IPAK) |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM6N60CH C5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TSM6N60CH C5G-FT |
TPN11006NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN13008NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN14006NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN1600ANH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN2R203NC,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN4R203NC,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN5900CNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN6R003NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN8R903NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J511NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel