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Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB1R4CH C5G

Name: TSM60NB1R4CH C5G
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM60NB1R4CH C5G
Price: 0.72 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (334 reviews)

Numero parte MFG: TSM60NB1R4CH C5G

quantità disponibile: 94600 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.72

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

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fabbricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione: - MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TSM60NB1R4CH C5G.pdf

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TSM60NB1R4CH C5G specificazioni

codice articolo del costruttore	TSM60NB1R4CH C5G
Numero di parte futuro	FT-TSM60NB1R4CH C5G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
TSM60NB1R4CH C5G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.12nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	257.3pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	28.4W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-251 (IPAK)
Pacchetto / caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM60NB1R4CH C5G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TSM60NB1R4CH C5G-FT

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