casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK14C65W,S1Q
codice articolo del costruttore | TK14C65W,S1Q |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-TK14C65W,S1Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSIV |
TK14C65W,S1Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13.7A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 6.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 690µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 300V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 130W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK14C65W,S1Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK14C65W,S1Q-FT |
TK31E60X,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK35E08N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK42E12N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK46E08N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK56E12N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK72E12N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK13A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK72A08N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3564(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.