casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK14C65W,S1Q
codice articolo del costruttore | TK14C65W,S1Q |
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Numero di parte futuro | FT-TK14C65W,S1Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSIV |
TK14C65W,S1Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13.7A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 6.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 690µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 300V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 130W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK14C65W,S1Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK14C65W,S1Q-FT |
TK31E60X,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK35E08N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK42E12N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK46E08N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK56E12N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK72E12N1,S1X
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TK13A60D(STA4,Q,M)
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TK6A60D(STA4,Q,M)
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TK72A08N1,S4X
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2SK3564(STA4,Q,M)
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LCMXO2-640HC-6TG100I
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XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel