casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK14C65W5,S1Q
codice articolo del costruttore | TK14C65W5,S1Q |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-TK14C65W5,S1Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSIV |
TK14C65W5,S1Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13.7A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 6.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 690µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 300V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 130W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK14C65W5,S1Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK14C65W5,S1Q-FT |
TK35E08N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK42E12N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK46E08N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK56E12N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK72E12N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK13A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK72A08N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3564(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6A65D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel