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Toshiba Semiconductor and Storage TK4R4P06PL,RQ
- Numero parte MFG
- TK4R4P06PL,RQ
- quantità disponibile
- 35620 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.51072
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
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- fabbricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descrizione
- U-MOSIX-H MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- TK4R4P06PL,RQ.pdf
TK4R4P06PL,RQ specificazioni
| codice articolo del costruttore | TK4R4P06PL,RQ |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-TK4R4P06PL,RQ |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | U-MOSIX-H |
| TK4R4P06PL,RQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 58A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 29A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48.2nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3280pF @ 30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 87W (Tc) |
| temperatura di esercizio | 175°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TK4R4P06PL,RQ Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | TK4R4P06PL,RQ-FT |
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