casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TSM190N08CZ C0G
codice articolo del costruttore | TSM190N08CZ C0G |
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Numero di parte futuro | FT-TSM190N08CZ C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM190N08CZ C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 190A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8600pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM190N08CZ C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TSM190N08CZ C0G-FT |
IRFD9120
Vishay Siliconix
IRFD9210
Vishay Siliconix
IRFD9220
Vishay Siliconix
IRFDC20
Vishay Siliconix
IRLD014
Vishay Siliconix
IRLD024
Vishay Siliconix
IRLD110
Vishay Siliconix
IRLD120
Vishay Siliconix
TSM60NB1R4CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM4NB65CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel