Vishay Siliconix IRLD120
- Numero parte MFG
- IRLD120
- quantità disponibile
- 67980 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Vishay Siliconix
- Breve descrizione
- - MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- IRLD120.pdf
IRLD120 specificazioni
| codice articolo del costruttore | IRLD120 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-IRLD120 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| IRLD120 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.3A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 780mA, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Pacchetto / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRLD120 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | IRLD120-FT |
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