codice articolo del costruttore | IRLD014 |
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Numero di parte futuro | FT-IRLD014 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRLD014 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Pacchetto / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLD014 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRLD014-FT |
TK6Q60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6Q65W,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7Q60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8Q60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20C60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16C60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK14C65W,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TK14C65W5,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel