casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TPH3300CNH,L1Q
codice articolo del costruttore | TPH3300CNH,L1Q |
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Numero di parte futuro | FT-TPH3300CNH,L1Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVIII-H |
TPH3300CNH,L1Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 300µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 75V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta), 57W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP Advance (5x5) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPH3300CNH,L1Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPH3300CNH,L1Q-FT |
TPCP8004(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCP8005-H(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ360(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ360(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2963(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5P60W,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8P60W5,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK290P60Y,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK380P65Y,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK560P60Y,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
EX64-TQ100I
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M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
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5SGXMA7N2F40I3N
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XCS05-3PC84C
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XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
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EPF10K30RC240-4N
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EP1S60F1020C5N
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