casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TPCP8005-H(TE85L,F
codice articolo del costruttore | TPCP8005-H(TE85L,F |
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Numero di parte futuro | FT-TPCP8005-H(TE85L,F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSV-H |
TPCP8005-H(TE85L,F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.9 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2150pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 840mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PS-8 (2.9x2.4) |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPCP8005-H(TE85L,F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPCP8005-H(TE85L,F-FT |
2SK2962,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2962,T6F(M
Toshiba Semiconductor and Storage
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2SK2989(T6CANO,F,M
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2SK2989(TPE6,F,M)
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2SK2989,F(J
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2SK2989,T6F(J
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2SK3670(F,M)
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LCMXO256C-4T100I
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