casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK8P60W5,RVQ
codice articolo del costruttore | TK8P60W5,RVQ |
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Numero di parte futuro | FT-TK8P60W5,RVQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSIV |
TK8P60W5,RVQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 400µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 590pF @ 300V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 80W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK8P60W5,RVQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK8P60W5,RVQ-FT |
2SK2989(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2989(TPE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2989,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2989,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3670(F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3670(T6CANO,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3670(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3670,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
TK25N60X,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TK62N60X,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX32A-TQG176M
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M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
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EP2AGX45DF29I3
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EPF10K10LC84-4N
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EP4SGX360HF35I4
Intel