casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK39J60W,S1VQ
codice articolo del costruttore | TK39J60W,S1VQ |
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Numero di parte futuro | FT-TK39J60W,S1VQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSIV |
TK39J60W,S1VQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 38.8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 19.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1.9mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 300V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 270W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P(N) |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK39J60W,S1VQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK39J60W,S1VQ-FT |
FJ6K01010L
Panasonic Electronic Components
MTM761230LBF
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MTM861240LBF
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MTM981400BBF
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MTM982400BBF
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XC2V250-5FG256I
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M2GL050-FGG484I
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A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel