casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / MTM761230LBF
codice articolo del costruttore | MTM761230LBF |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MTM761230LBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MTM761230LBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 1A, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | WSMini6-F1-B |
Pacchetto / caso | 6-SMD, Flat Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTM761230LBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MTM761230LBF-FT |
HAT2169H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2170H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2171H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2172H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2173H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2174H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2175H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2266H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2267H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2279H-EL-E
Renesas Electronics America
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel