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codice articolo del costruttore | TBH25P100RJE |
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Numero di parte futuro | FT-TBH25P100RJE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TBH |
TBH25P100RJE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 100 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 25W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | Current Sense, Moisture Resistant, Non-Inductive |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Dimensione / Dimensione | 0.402" L x 0.187" W (10.20mm x 4.75mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.630" (16.00mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TBH25P100RJE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TBH25P100RJE-FT |
MOX-1-12-1007F
Ohmite
MOX-1-121006FE
Ohmite
MOX-1-12-1006F
Ohmite
MOX-1-121005JE
Ohmite
MOX-1-121005FE
Ohmite
MOX-1-12-1005F
Ohmite
TCH35P5R60JE
Ohmite
TCH35P470RJE
Ohmite
TCH35P150RJE
Ohmite
TCH35P100RJE
Ohmite
A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-2X
Intel
5SGSED6K1F40C2N
Intel
EP4CE10E22C8
Intel
EP4S100G5F45I1
Intel
XC6VCX195T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281I
Microsemi Corporation
AGL250V2-FG144I
Microsemi Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
EP1K30QC208-3
Intel