casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / MOX-1-12-1007F
codice articolo del costruttore | MOX-1-12-1007F |
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Numero di parte futuro | FT-MOX-1-12-1007F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Maxi-Mox |
MOX-1-12-1007F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Resistenza | 1 GOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 2.5W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 210°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.310" Dia x 1.120" L (7.87mm x 28.45mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-1-12-1007F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MOX-1-12-1007F-FT |
MOX96021007FTE
Ohmite
MOX96025005FVE
Ohmite
MOX96021005FVE
Ohmite
MOX95021005FVE
Ohmite
MOX95022505FTE
Ohmite
MOX95025004FVE
Ohmite
MOX95021004FVE
Ohmite
MOX94021005FVE
Ohmite
MOX94021006FVE
Ohmite
MOX94025005FVE
Ohmite
A3P250-2FGG256I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQG100I
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8LN
Intel
XC4VLX80-12FF1148C
Xilinx Inc.
A42MX16-PL84M
Microsemi Corporation
10AX066K4F40I3LG
Intel
5AGXFB3H4F35I5N
Intel
EP2S130F780C4
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel