casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / MOX-1-121006FE
codice articolo del costruttore | MOX-1-121006FE |
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Numero di parte futuro | FT-MOX-1-121006FE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Maxi-Mox |
MOX-1-121006FE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 100 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 2.5W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 210°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.310" Dia x 1.120" L (7.87mm x 28.45mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-1-121006FE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MOX-1-121006FE-FT |
MOX96025005FVE
Ohmite
MOX96021005FVE
Ohmite
MOX95021005FVE
Ohmite
MOX95022505FTE
Ohmite
MOX95025004FVE
Ohmite
MOX95021004FVE
Ohmite
MOX94021005FVE
Ohmite
MOX94021006FVE
Ohmite
MOX94025005FVE
Ohmite
MOX94021007FTE
Ohmite
XA3S200-4TQG144Q
Xilinx Inc.
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100
Microsemi Corporation
A1440A-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C5N
Intel
5SGXMA4K2F35C2N
Intel
XC5VFX70T-1FF665CES
Xilinx Inc.
LFXP20E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHC-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F1020I6N
Intel