casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / MOX-1-12-1006F
codice articolo del costruttore | MOX-1-12-1006F |
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Numero di parte futuro | FT-MOX-1-12-1006F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Maxi-Mox |
MOX-1-12-1006F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Resistenza | 100 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 2.5W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 210°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.310" Dia x 1.120" L (7.87mm x 28.45mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-1-12-1006F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MOX-1-12-1006F-FT |
MOX96021005FVE
Ohmite
MOX95021005FVE
Ohmite
MOX95022505FTE
Ohmite
MOX95025004FVE
Ohmite
MOX95021004FVE
Ohmite
MOX94021005FVE
Ohmite
MOX94021006FVE
Ohmite
MOX94025005FVE
Ohmite
MOX94021007FTE
Ohmite
MOX93021004FVE
Ohmite
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
A3P400-1PQG208
Microsemi Corporation
A54SX72A-FPQ208
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-5QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-2
Intel
EPF10K130EFC672-2X
Intel
EP2S30F484C5
Intel
XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
5CGTFD9C5F23I7N
Intel
EPF10K30BC356-3
Intel