casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SVD14N03RT4G
codice articolo del costruttore | SVD14N03RT4G |
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Numero di parte futuro | FT-SVD14N03RT4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SVD14N03RT4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 115pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.04W (Ta), 20.8W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SVD14N03RT4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SVD14N03RT4G-FT |
NTE4153NT1G
ON Semiconductor
SI1011X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1013CX-T1-GE3
Vishay Siliconix
NVJS4151PT1G
ON Semiconductor
NVJS4405NT1G
ON Semiconductor
NTJS3151PT1G
ON Semiconductor
NTJS4405NT1G
ON Semiconductor
NTJS4151PT1G
ON Semiconductor
NTJS3151PT2G
ON Semiconductor
NTJS3157NT1G
ON Semiconductor
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
A3P400-1FG256
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel
10CL080YF780C6G
Intel