casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTJS3151PT1G
codice articolo del costruttore | NTJS3151PT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NTJS3151PT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTJS3151PT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.7A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 12V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 625mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTJS3151PT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTJS3151PT1G-FT |
NVTR4503NT1G
ON Semiconductor
BVSS84LT1G
ON Semiconductor
MMBF0201NLT1G
ON Semiconductor
1HN04CH-TL-W
ON Semiconductor
1HP04CH-TL-W
ON Semiconductor
CPH3350-TL-W
ON Semiconductor
NTR1P02LT3G
ON Semiconductor
CPH3461-TL-W
ON Semiconductor
BVSS123LT1G
ON Semiconductor
CPH3348-TL-W
ON Semiconductor
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel