casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTJS3157NT1G
codice articolo del costruttore | NTJS3157NT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NTJS3157NT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTJS3157NT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTJS3157NT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTJS3157NT1G-FT |
1HP04CH-TL-W
ON Semiconductor
CPH3350-TL-W
ON Semiconductor
NTR1P02LT3G
ON Semiconductor
CPH3461-TL-W
ON Semiconductor
BVSS123LT1G
ON Semiconductor
CPH3348-TL-W
ON Semiconductor
NTR3C21NZT3G
ON Semiconductor
NTR4101PT1H
ON Semiconductor
NTR4501NST1G
ON Semiconductor
NVTR01P02LT1G
ON Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel