casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTE4153NT1G
codice articolo del costruttore | NTE4153NT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NTE4153NT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTE4153NT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 915mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 600mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.82nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±6V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 16V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300mW (Tj) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-89-3 |
Pacchetto / caso | SC-89, SOT-490 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTE4153NT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTE4153NT1G-FT |
MGSF2N02ELT1G
ON Semiconductor
MVGSF1N02LT1G
ON Semiconductor
NTR3C21NZT1G
ON Semiconductor
NVR1P02T1G
ON Semiconductor
NVR4501NT1G
ON Semiconductor
NVTR4503NT1G
ON Semiconductor
BVSS84LT1G
ON Semiconductor
MMBF0201NLT1G
ON Semiconductor
1HN04CH-TL-W
ON Semiconductor
1HP04CH-TL-W
ON Semiconductor
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel