casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SUD45P04-16P-GE3
codice articolo del costruttore | SUD45P04-16P-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SUD45P04-16P-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SUD45P04-16P-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.2 mOhm @ 14A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2765pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 41.7W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252AA |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD45P04-16P-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SUD45P04-16P-GE3-FT |
SI8823EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8445DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8805EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8806DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8466EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8461DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8821EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8465DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8424CDB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8425DB-T1-E1
Vishay Siliconix
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation