casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI8821EDB-T2-E1
codice articolo del costruttore | SI8821EDB-T2-E1 |
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Numero di parte futuro | FT-SI8821EDB-T2-E1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI8821EDB-T2-E1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-Microfoot |
Pacchetto / caso | 4-XFBGA, CSPBGA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8821EDB-T2-E1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI8821EDB-T2-E1-FT |
SQJA82EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ476EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ459EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ860EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ850EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SIHJ7N65E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ438DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ494DP-T1-GE3
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SQJ407EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ423EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation