casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI8445DB-T2-E1
codice articolo del costruttore | SI8445DB-T2-E1 |
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Numero di parte futuro | FT-SI8445DB-T2-E1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI8445DB-T2-E1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 84 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta), 11.4W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-Microfoot |
Pacchetto / caso | 4-XFBGA, CSPBGA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8445DB-T2-E1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI8445DB-T2-E1-FT |
SQS460ENW-T1_GE3
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SQS482ENW-T1_GE3
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