casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI8424CDB-T1-E1
codice articolo del costruttore | SI8424CDB-T1-E1 |
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Numero di parte futuro | FT-SI8424CDB-T1-E1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI8424CDB-T1-E1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2340pF @ 4V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-Microfoot |
Pacchetto / caso | 4-UFBGA, WLCSP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8424CDB-T1-E1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI8424CDB-T1-E1-FT |
SQJ459EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ860EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ850EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SIHJ7N65E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ438DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ494DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQJ407EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ423EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ454EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ463EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel