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codice articolo del costruttore | SUD19N20-90-T4-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SUD19N20-90-T4-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SUD19N20-90-T4-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 136W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD19N20-90-T4-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SUD19N20-90-T4-E3-FT |
SI8407DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8416DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8441DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8417DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8447DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8451DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8499DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8808DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8439DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8469DB-T2-E1
Vishay Siliconix
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation