casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SUD17N25-165-E3
codice articolo del costruttore | SUD17N25-165-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SUD17N25-165-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SUD17N25-165-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1950pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 136W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD17N25-165-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SUD17N25-165-E3-FT |
SI3447CDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3483CDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI8407DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8416DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8441DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8417DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8447DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8451DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8499DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8808DB-T2-E1
Vishay Siliconix
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel