casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STW10NK80Z
codice articolo del costruttore | STW10NK80Z |
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Numero di parte futuro | FT-STW10NK80Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperMESH™ |
STW10NK80Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2180pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 160W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STW10NK80Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STW10NK80Z-FT |
STI24NM60N
STMicroelectronics
STB10NK60Z-1
STMicroelectronics
STB11NM60-1
STMicroelectronics
STB11NM60N-1
STMicroelectronics
STB12NM60N-1
STMicroelectronics
STB13NM50N-1
STMicroelectronics
STB141NF55-1
STMicroelectronics
STB14NK50Z-1
STMicroelectronics
STB16NK65Z-S
STMicroelectronics
STB200NF04-1
STMicroelectronics
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel