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STMicroelectronics STB11NM60N-1

Name: STB11NM60N-1
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB11NM60N-1
Availability: InStock
Rating: 4.6 (535 reviews)

Numero parte MFG: STB11NM60N-1

quantità disponibile: 25140 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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fabbricante: STMicroelectronics

Breve descrizione: MDmesh™ II MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: STB11NM60N-1.pdf

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STB11NM60N-1 specificazioni

codice articolo del costruttore	STB11NM60N-1
Numero di parte futuro	FT-STB11NM60N-1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	MDmesh™ II
STB11NM60N-1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Vgs (massimo)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	90W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I2PAK
Pacchetto / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STB11NM60N-1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	STB11NM60N-1-FT

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