casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STB14NK50Z-1

| codice articolo del costruttore | STB14NK50Z-1 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-STB14NK50Z-1 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | SuperMESH™ |
| STB14NK50Z-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| STB14NK50Z-1 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | STB14NK50Z-1-FT |

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