casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STI24NM60N
codice articolo del costruttore | STI24NM60N |
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Numero di parte futuro | FT-STI24NM60N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ II |
STI24NM60N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STI24NM60N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STI24NM60N-FT |
CSD17313Q2Q1
Texas Instruments
CSD25310Q2T
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A1020B-VQG80I
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XC6VLX75T-L1FFG484I
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APA1000-BG456M
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AGLN125V2-VQ100I
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EP4CE75F23C8L
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XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
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