casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STU13N65M2

| codice articolo del costruttore | STU13N65M2 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-STU13N65M2 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | MDmesh™ M2 |
| STU13N65M2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 590pF @ 100V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 110W (Tc) |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | IPAK (TO-251) |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| STU13N65M2 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | STU13N65M2-FT |

STB25NF06AG
STMicroelectronics

STB78NF55-08
STMicroelectronics

STB10N65K3
STMicroelectronics

STB11N52K3
STMicroelectronics

STB120N10F4
STMicroelectronics

STB150N3LH6
STMicroelectronics

STB155N3H6
STMicroelectronics

STB18N55M5
STMicroelectronics

STB18NM60N
STMicroelectronics

STB26NM60ND
STMicroelectronics