casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STB10N65K3
codice articolo del costruttore | STB10N65K3 |
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Numero di parte futuro | FT-STB10N65K3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperMESH3™ |
STB10N65K3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 3.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1180pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STB10N65K3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STB10N65K3-FT |
STH150N10F7-2
STMicroelectronics
STH175N4F6-2AG
STMicroelectronics
STH175N4F6-6AG
STMicroelectronics
STH240N10F7-2
STMicroelectronics
STH260N6F6-2
STMicroelectronics
STH265N6F6-2AG
STMicroelectronics
STH275N8F7-2AG
STMicroelectronics
STH310N10F7-2
STMicroelectronics
STH410N4F7-2AG
STMicroelectronics
STH80N10F7-2
STMicroelectronics
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel