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STMicroelectronics STB150N3LH6

Name: STB150N3LH6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB150N3LH6
Availability: InStock
Rating: 4.6 (194 reviews)

Numero parte MFG: STB150N3LH6

quantità disponibile: 38960 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: STMicroelectronics

Breve descrizione: DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET N CH 30V 80A D2PAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: STB150N3LH6.pdf

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STB150N3LH6 specificazioni

codice articolo del costruttore	STB150N3LH6
Numero di parte futuro	FT-STB150N3LH6
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	DeepGATE™, STripFET™ VI
STB150N3LH6 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3800pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	110W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263 (D²Pak)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STB150N3LH6 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	STB150N3LH6-FT

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