casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STB120N10F4
codice articolo del costruttore | STB120N10F4 |
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Numero di parte futuro | FT-STB120N10F4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
STB120N10F4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STB120N10F4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STB120N10F4-FT |
STH175N4F6-6AG
STMicroelectronics
STH240N10F7-2
STMicroelectronics
STH260N6F6-2
STMicroelectronics
STH265N6F6-2AG
STMicroelectronics
STH275N8F7-2AG
STMicroelectronics
STH310N10F7-2
STMicroelectronics
STH410N4F7-2AG
STMicroelectronics
STH80N10F7-2
STMicroelectronics
STH12N120K5-2
STMicroelectronics
STH6N95K5-2
STMicroelectronics
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel