casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STP8NK80Z
codice articolo del costruttore | STP8NK80Z |
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Numero di parte futuro | FT-STP8NK80Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperMESH™ |
STP8NK80Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 3.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1320pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 140W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STP8NK80Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STP8NK80Z-FT |
STQ2NK60ZR-AP
STMicroelectronics
STQ1HN60K3-AP
STMicroelectronics
STQ2LN60K3-AP
STMicroelectronics
STQ3N45K3-AP
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STQ1HNK60R-AP
STMicroelectronics
STQ1NC45R-AP
STMicroelectronics
STQ3NK50ZR-AP
STMicroelectronics
STF16N60M6
STMicroelectronics
STP7NK40Z
STMicroelectronics
STP2NK100Z
STMicroelectronics
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel