casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STQ1NC45R-AP
codice articolo del costruttore | STQ1NC45R-AP |
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Numero di parte futuro | FT-STQ1NC45R-AP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperMESH™ |
STQ1NC45R-AP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 450V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 160pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Tc) |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STQ1NC45R-AP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STQ1NC45R-AP-FT |
STL16N65M2
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STL18N65M2
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