casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STF16N60M6
codice articolo del costruttore | STF16N60M6 |
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Numero di parte futuro | FT-STF16N60M6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UltraFASTmesh™ |
STF16N60M6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-2 Full Pack |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STF16N60M6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STF16N60M6-FT |
STL2N80K5
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STL45N65M5
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STL4N80K5
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STL100N1VH5
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A3P030-2QNG68I
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A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
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5CEBA5U19C8N
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EP1C20F324I7N
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