casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STI150N10F7
codice articolo del costruttore | STI150N10F7 |
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Numero di parte futuro | FT-STI150N10F7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ |
STI150N10F7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 55A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8115pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK (TO-262) |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STI150N10F7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STI150N10F7-FT |
CSD17510Q5A
Texas Instruments
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LCMXO256C-4T100I
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XC2V1500-6BGG575C
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XC7K355T-1FFG901I
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XC5VTX150T-1FFG1156I
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LFXP3E-5QN208C
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LCMXO2-4000HE-6MG184C
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