casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / CSD16325Q5C
codice articolo del costruttore | CSD16325Q5C |
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Numero di parte futuro | FT-CSD16325Q5C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD16325Q5C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 33A (Ta), 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 3V, 8V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 30A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | +10V, -8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4000pF @ 12.5V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-VSON-CLIP (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD16325Q5C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CSD16325Q5C-FT |
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