casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / CSD16322Q5C
codice articolo del costruttore | CSD16322Q5C |
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Numero di parte futuro | FT-CSD16322Q5C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD16322Q5C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Ta), 97A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 3V, 8V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 20A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | +10V, -8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1365pF @ 12.5V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SON |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD16322Q5C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CSD16322Q5C-FT |
CSD17578Q5AT
Texas Instruments
CSD16401Q5
Texas Instruments
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XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
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M2GL050-VFG400I
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5SGSMD4K2F40I3LN
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EP3SE260F1152I4N
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Lattice Semiconductor Corporation
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