casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / CSD16408Q5C
codice articolo del costruttore | CSD16408Q5C |
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Numero di parte futuro | FT-CSD16408Q5C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD16408Q5C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Ta), 113A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | +16V, -12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 12.5V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-VSON-CLIP (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD16408Q5C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CSD16408Q5C-FT |
CSD18514Q5AT
Texas Instruments
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CSD18513Q5AT
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LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
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5SGXMB5R3F43C3N
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5SGXMA7H3F35I3
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LCMXO2280E-3B256C
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LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
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EP1C4F400C8
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