casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STI10N62K3
codice articolo del costruttore | STI10N62K3 |
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Numero di parte futuro | FT-STI10N62K3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperMESH3™ |
STI10N62K3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 620V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1250pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STI10N62K3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STI10N62K3-FT |
CSD17571Q2
Texas Instruments
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Xilinx Inc.
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