casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / SGB10N60AATMA1
codice articolo del costruttore | SGB10N60AATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SGB10N60AATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SGB10N60AATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | NPT |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 20A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 40A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 10A |
Potenza - Max | 92W |
Cambiare energia | 320µJ |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 52nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 28ns/178ns |
Condizione di test | 400V, 10A, 25 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SGB10N60AATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SGB10N60AATMA1-FT |
IRG4BC20UD-SPBF
Infineon Technologies
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IRG4BC30F-STRL
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LCMXO2-7000HE-6TG144C
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XC3S2000-4FG456I
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XC3S1000L-4FGG456C
Xilinx Inc.
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M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-3
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EP4CE6F17I8L
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