casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / SGB15N60HSATMA1
codice articolo del costruttore | SGB15N60HSATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SGB15N60HSATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SGB15N60HSATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | NPT |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 27A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 60A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.15V @ 15V, 15A |
Potenza - Max | 138W |
Cambiare energia | 530µJ |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 80nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 13ns/209ns |
Condizione di test | 400V, 15A, 23 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SGB15N60HSATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SGB15N60HSATMA1-FT |
IRG4BC20UDSTRLP
Infineon Technologies
IRG4BC20UDSTRRP
Infineon Technologies
IRG4BC20W-S
Infineon Technologies
IRG4BC20W-SPBF
Infineon Technologies
IRG4BC30F-S
Infineon Technologies
IRG4BC30F-SPBF
Infineon Technologies
IRG4BC30F-STRL
Infineon Technologies
IRG4BC30F-STRLP
Infineon Technologies
IRG4BC30F-STRR
Infineon Technologies
IRG4BC30F-STRRP
Infineon Technologies
XC3S200A-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC6SLX75-2FG676C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FG484I
Xilinx Inc.
EP3SL340F1760I4
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AGLP030V2-CSG289I
Microsemi Corporation
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F31C7N
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10AX057N4F40I3SG
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