casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / SGB02N120ATMA1
codice articolo del costruttore | SGB02N120ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SGB02N120ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SGB02N120ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | NPT |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 6.2A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 9.6A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.6V @ 15V, 2A |
Potenza - Max | 62W |
Cambiare energia | 220µJ |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 11nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 23ns/260ns |
Condizione di test | 800V, 2A, 91 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SGB02N120ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SGB02N120ATMA1-FT |
IRG4BC20MD-SPBF
Infineon Technologies
IRG4BC20SD-S
Infineon Technologies
IRG4BC20SD-SPBF
Infineon Technologies
IRG4BC20UD-S
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IRG4BC20UD-SPBF
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IRG4BC20UDSTRRP
Infineon Technologies
IRG4BC20W-S
Infineon Technologies
XA3S250E-4PQG208Q
Xilinx Inc.
XC7S75-1FGGA484C
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
5SGXEA7K2F40I3N
Intel
5SGXEB5R3F40I3N
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EP4CE15E22C9LN
Intel
XC7S6-2CSGA225C
Xilinx Inc.
APA075-TQ100A
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360HF35C4N
Intel