casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STB100N10F7
codice articolo del costruttore | STB100N10F7 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-STB100N10F7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DeepGATE™, STripFET™ VII |
STB100N10F7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4369pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STB100N10F7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STB100N10F7-FT |
TSM900N06CW RPG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM1NB60CW RPG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM05N03CW RPG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM950N10CW RPG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM1N80CW RPG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM1N45CW RPG
Taiwan Semiconductor Corporation
STD12NF06L-1
STMicroelectronics
STD1NK60-1
STMicroelectronics
STU65N3LLH5
STMicroelectronics
STU7N105K5
STMicroelectronics
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation