casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TSM1N80CW RPG
codice articolo del costruttore | TSM1N80CW RPG |
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Numero di parte futuro | FT-TSM1N80CW RPG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM1N80CW RPG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 300mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.6 Ohm @ 150mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM1N80CW RPG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TSM1N80CW RPG-FT |
TSM2314CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM2323CX RFG
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TSM320N03CX RFG
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TSM2328CX RFG
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TSM2303CX RFG
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TSM650P02CX RFG
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TSM2308CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM650P03CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM126CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM500P02CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
Intel
ICE40LP640-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C3N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel